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PN4391 TRE /JFET N-Ch JFET 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW
PN4391 TRE的规格信息
PN4391 TRE的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:JFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:N-Channel

配置:Single

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Vgs-栅源极击穿电压 :40 V

Id-连续漏极电流:12 mA

Rds On-漏源导通电阻:30 Ohms

Pd-功率耗散:625 mW

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:PN4391

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

类型:JFET

商标:Central Semiconductor

闸/源截止电压:40 V

最大漏极/栅极电压:40 V

工厂包装数量:2000

供应商PN4391 TRE
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